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2–12μm探測(cè)范圍，HgCdTe非制冷（室溫），光伏多結(jié)探測(cè)器

PVM-10.6-1×1-TO39-NW-90是一種基于復(fù)雜HgCdTe異質(zhì)結(jié)構(gòu)的非制冷光伏多結(jié)紅外探測(cè)器，具備很好的穩(wěn)定性。該材料經(jīng)過(guò)優(yōu)化，可在10.6μm時(shí)實(shí)現(xiàn)最佳性能，大光敏面檢測(cè)器尤其適用于檢測(cè)CW和低頻調(diào)制輻射。

3.0–6.7μm，HgCdTe二級(jí)熱電冷卻，光學(xué)浸沒(méi)光伏探測(cè)器

PVI-2TE-6-1×1-TO8-wZnSeAR-36是一種基于復(fù)雜HgCdTe異質(zhì)結(jié)構(gòu)的二級(jí)熱電冷卻紅外光電探測(cè)器，具備很好的性能和穩(wěn)定性。該材料經(jīng)過(guò)優(yōu)化，可在6μm時(shí)實(shí)現(xiàn)最佳性能，用高半球GaAs微透鏡來(lái)提高探測(cè)能力，反向偏置可顯著增加響應(yīng)速度和動(dòng)態(tài)范圍。3°楔形硒化鋅（wZnSeAR）防反射涂層窗口防止不必要的干擾效應(yīng)。

2.4 – 5.5 μm探測(cè)范圍，HgCdTe非制冷，光學(xué)浸沒(méi)光伏探測(cè)器

PVI-5×1-TO39-NW-36是一種基于復(fù)雜HgCdTe異質(zhì)結(jié)構(gòu)的非制冷紅外光電探測(cè)器，性能和穩(wěn)定性。該材料經(jīng)過(guò)優(yōu)化，可在5μm時(shí)實(shí)現(xiàn)最優(yōu)性能。用高半球GaAs微透鏡來(lái)提高探測(cè)性能，反向偏置可能顯著增加響應(yīng)速度和動(dòng)態(tài)范圍。

2.4–4.5μm探測(cè)范圍，HgCdTe非制冷，光學(xué)浸沒(méi)光伏探測(cè)器

PVI-4-1×1-TO39-NW-36是一種基于復(fù)雜HgCdTe異質(zhì)結(jié)構(gòu)的非制冷紅外光電探測(cè)器，具備很好的穩(wěn)定性。該材料經(jīng)過(guò)優(yōu)化，可在4μm時(shí)實(shí)現(xiàn)最佳性能，同時(shí)用高半球GaAs微透鏡來(lái)提高探測(cè)能力，反向偏置可顯著增加響應(yīng)速度和動(dòng)態(tài)范圍。

VIGO公司研發(fā)的碲鎘汞（MCT）探測(cè)器，覆蓋1-16μm光譜范圍，非制冷，2TE制冷，3TE制冷，4TE制冷可選，產(chǎn)品具有響應(yīng)速度快，高靈敏度性能，長(zhǎng)期穩(wěn)定性好等特點(diǎn)。 碲鎘汞（MCT）探測(cè)器可集成不同類(lèi)型的前置放大電路和溫控電源，模塊緊湊，方便操作，非常適合科研和產(chǎn)品前期研發(fā)。 廣泛應(yīng)用…