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首頁 產品中心 探測器系列 1-16μm HgCdTe紅外探測器頁面 2
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PVM-10.6-1×1-TO39-NW-90

2–12μm探測范圍,HgCdTe非制冷(室溫),光伏多結探測器

PVM-10.6-1×1-TO39-NW-90是一種基于復雜HgCdTe異質結構的非制冷光伏多結紅外探測器,具備很好的穩定性。該材料經過優化,可在10.6μm時實現最佳性能,大光敏面檢測器尤其適用于檢測CW和低頻調制輻射。

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PVI-2TE-6-1×1-TO8-wZnSeAR-36

3.0–6.7μm,HgCdTe二級熱電冷卻,光學浸沒光伏探測器

PVI-2TE-6-1×1-TO8-wZnSeAR-36是一種基于復雜HgCdTe異質結構的二級熱電冷卻紅外光電探測器,具備很好的性能和穩定性。該材料經過優化,可在6μm時實現最佳性能,用高半球GaAs微透鏡來提高探測能力,反向偏置可顯著增加響應速度和動態范圍。3°楔形硒化鋅(wZnSeAR)防反射涂層窗口防止不必要的干擾效應。

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PVI-5-1×1-TO39-NW-36

2.4 – 5.5 μm探測范圍,HgCdTe非制冷,光學浸沒光伏探測器

PVI-5×1-TO39-NW-36是一種基于復雜HgCdTe異質結構的非制冷紅外光電探測器,性能和穩定性。該材料經過優化,可在5μm時實現最優性能。用高半球GaAs微透鏡來提高探測性能,反向偏置可能顯著增加響應速度和動態范圍。

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PVI-4-1×1-TO39-NW-36

2.4–4.5μm探測范圍,HgCdTe非制冷,光學浸沒光伏探測器

PVI-4-1×1-TO39-NW-36是一種基于復雜HgCdTe異質結構的非制冷紅外光電探測器,具備很好的穩定性。該材料經過優化,可在4μm時實現最佳性能,同時用高半球GaAs微透鏡來提高探測能力,反向偏置可顯著增加響應速度和動態范圍。

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探測器及模塊-Configurable line

VIGO公司研發的碲鎘汞(MCT)探測器,覆蓋1-16μm光譜范圍,非制冷,2TE制冷,3TE制冷,4TE制冷可選,產品具有響應速度快,高靈敏度性能,長期穩定性好等特點。 碲鎘汞(MCT)探測器可集成不同類型的前置放大電路和溫控電源,模塊緊湊,方便操作,非常適合科研和產品前期研發。 廣泛應用…

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