3.0–6.7μm，HgCdTe二級(jí)熱電冷卻，光學(xué)浸沒(méi)光伏探測(cè)器
PVI-2TE-6-1×1-TO8-wZnSeAR-36是一種基于復(fù)雜HgCdTe異質(zhì)結(jié)構(gòu)的二級(jí)熱電冷卻紅外光電探測(cè)器，具備很好的性能和穩(wěn)定性。該材料經(jīng)過(guò)優(yōu)化，可在6μm時(shí)實(shí)現(xiàn)最佳性能，用高半球GaAs微透鏡來(lái)提高探測(cè)能力，反向偏置可顯著增加響應(yīng)速度和動(dòng)態(tài)范圍。3°楔形硒化鋅（wZnSeAR）防反射涂層窗口防止不必要的干擾效應(yīng)。
2.4 – 5.5 μm探測(cè)范圍，HgCdTe非制冷，光學(xué)浸沒(méi)光伏探測(cè)器
PVI-5×1-TO39-NW-36是一種基于復(fù)雜HgCdTe異質(zhì)結(jié)構(gòu)的非制冷紅外光電探測(cè)器，性能和穩(wěn)定性。該材料經(jīng)過(guò)優(yōu)化，可在5μm時(shí)實(shí)現(xiàn)最優(yōu)性能。用高半球GaAs微透鏡來(lái)提高探測(cè)性能，反向偏置可能顯著增加響應(yīng)速度和動(dòng)態(tài)范圍。
2.4–4.5μm探測(cè)范圍，HgCdTe非制冷，光學(xué)浸沒(méi)光伏探測(cè)器
PVI-4-1×1-TO39-NW-36是一種基于復(fù)雜HgCdTe異質(zhì)結(jié)構(gòu)的非制冷紅外光電探測(cè)器，具備很好的穩(wěn)定性。該材料經(jīng)過(guò)優(yōu)化，可在4μm時(shí)實(shí)現(xiàn)最佳性能，同時(shí)用高半球GaAs微透鏡來(lái)提高探測(cè)能力，反向偏置可顯著增加響應(yīng)速度和動(dòng)態(tài)范圍。
VIGO Photonics 提供針對(duì)不同波長(zhǎng)的四象限和多元線陣探測(cè)器模塊，基于HgCdTe材料，集成了跨阻抗、直流耦合四通道前置放大器、TE制冷和風(fēng)扇。四象限模塊適合用于測(cè)量光束的移動(dòng)或作為對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)的反饋；多元線陣探測(cè)器多用于非接觸式的溫度測(cè)量，常用于鐵路運(yùn)輸。除標(biāo)準(zhǔn)5μm和10.6μm模塊，根據(jù)不同應(yīng)場(chǎng)景，可接受定制。
VIGO平衡光電探測(cè)器實(shí)際上是內(nèi)置兩路通道，使用兩個(gè)特性完全接近的PD管作為光電轉(zhuǎn)換，其中一路加入延遲線，或者前端使用馬赫曾德干涉儀，調(diào)整一路的相位反偏。后端使用的是差分放大器，放大差模信號(hào)，抑制共模信號(hào)。將兩路相加后，噪聲完全相抵，大幅度放大輸出幅度。簡(jiǎn)單來(lái)說(shuō)就是這樣，常常用于對(duì)于微弱信號(hào)…
VIGO公司研發(fā)的“多合一”非冷卻紅外檢測(cè)模組，InAsSb檢測(cè)器直接與低噪聲前置放大電路集成在一起。 模組的模擬型號(hào)輸出可以直接連接到測(cè)量設(shè)備，同時(shí)檢測(cè)模組配有3°楔形ZnSe抗反射涂層窗口,可防止不必要的干擾影響。 OEM組件（僅帶檢測(cè)器元件的PCB）和TO8緊湊型封裝可選；
VIGO公司研發(fā)的InAs/InAsSb探測(cè)器，覆蓋2-5.5μm光譜范圍，非制冷和2TE制冷可選，產(chǎn)品能在更高溫的環(huán)境下保持優(yōu)異檢測(cè)性能，不含汞或鉛，符合RoHS指令。 探測(cè)器可集成不同類型的前置放大電路和溫控電源，模塊緊湊，方便操作，非常適合科研和產(chǎn)品前期研發(fā)。 廣泛應(yīng)用于環(huán)境監(jiān)測(cè)、溫度…
nanoplus 最新推出的InGaAsSb（銻砷化銦鎵）光電二極管，以分子束磊晶法(MBE)成長(zhǎng)銻砷化銦鎵作為參雜材料，相比傳統(tǒng)砷化銦鎵具有更好的結(jié)晶品質(zhì)和傳輸特性。光電二極管工作在1000nm-2600nm的波長(zhǎng)范圍內(nèi)，峰值波長(zhǎng)為1880nm，采用TO5封裝，有效面積為?1mm，?2mm…
