3.0–6.7μm，HgCdTe二級熱電冷卻，光學浸沒光伏探測器
PVI-2TE-6-1×1-TO8-wZnSeAR-36是一種基于復雜HgCdTe異質結構的二級熱電冷卻紅外光電探測器，具備很好的性能和穩定性。該材料經過優化，可在6μm時實現最佳性能，用高半球GaAs微透鏡來提高探測能力，反向偏置可顯著增加響應速度和動態范圍。3°楔形硒化鋅（wZnSeAR）防反射涂層窗口防止不必要的干擾效應。
PVI-5-1×1-TO39-NW-36
2.4 – 5.5 μm探測范圍，HgCdTe非制冷，光學浸沒光伏探測器
PVI-5×1-TO39-NW-36是一種基于復雜HgCdTe異質結構的非制冷紅外光電探測器，性能和穩定性。該材料經過優化，可在5μm時實現最優性能。用高半球GaAs微透鏡來提高探測性能，反向偏置可能顯著增加響應速度和動態范圍。
PVI-4-1×1-TO39-NW-36
2.4–4.5μm探測范圍，HgCdTe非制冷，光學浸沒光伏探測器
PVI-4-1×1-TO39-NW-36是一種基于復雜HgCdTe異質結構的非制冷紅外光電探測器，具備很好的穩定性。該材料經過優化，可在4μm時實現最佳性能，同時用高半球GaAs微透鏡來提高探測能力，反向偏置可顯著增加響應速度和動態范圍。
HgCdTe（MCT）多通道檢測模塊
VIGO Photonics 提供針對不同波長的四象限和多元線陣探測器模塊，基于HgCdTe材料，集成了跨阻抗、直流耦合四通道前置放大器、TE制冷和風扇。四象限模塊適合用于測量光束的移動或作為對準系統的反饋；多元線陣探測器多用于非接觸式的溫度測量，常用于鐵路運輸。除標準5μm和10.6μm模塊，根據不同應場景，可接受定制。
Affordable InAsSb模組
VIGO公司研發的“多合一”非冷卻紅外檢測模組，InAsSb檢測器直接與低噪聲前置放大電路集成在一起。 模組的模擬型號輸出可以直接連接到測量設備，同時檢測模組配有3°楔形ZnSe抗反射涂層窗口,可防止不必要的干擾影響。 OEM組件（僅帶檢測器元件的PCB）和TO8緊湊型封裝可選；
1-16μm InAs/InAsSb紅外探測器
VIGO公司研發的InAs/InAsSb探測器，覆蓋1-16μm光譜范圍，非制冷和2TE制冷可選，產品能在更高溫的環境下保持優異檢測性能，不含汞或鉛，符合RoHS指令。 探測器可集成不同類型的前置放大電路和溫控電源，模塊緊湊，方便操作，非常適合科研和產品前期研發。 廣泛應用于環境監測、溫度測…
nanoplus InGaAsSb 光電二極管
nanoplus 最新推出的InGaAsSb（銻砷化銦鎵）光電二極管，以分子束磊晶法(MBE)成長銻砷化銦鎵作為參雜材料，相比傳統砷化銦鎵具有更好的結晶品質和傳輸特性。光電二極管工作在1000nm-2600nm的波長范圍內，峰值波長為1880nm，采用TO5封裝，有效面積為?1mm，?2mm…
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