1–14μm，HgCdTe三級(jí)熱電冷卻，光學(xué)浸沒光導(dǎo)探測(cè)器
PCI-3TE-12-1×1-TO8-wZnSeAR-36是一種基于復(fù)雜HgCdTe異質(zhì)結(jié)構(gòu)的三級(jí)熱電冷卻紅外光電探測(cè)器，具備很好的穩(wěn)定性。該材料經(jīng)過優(yōu)化，可在12μm時(shí)實(shí)現(xiàn)最佳性能，用高半球GaAs微透鏡來(lái)提高探測(cè)能力，光電導(dǎo)檢測(cè)器應(yīng)在最佳偏置電壓和電流模式下工作。低頻率下的性能由于1/f噪聲而減小，3°楔形硒化鋅（wZnSeAR）防反射涂層窗口可防止不必要的干擾效應(yīng)。
規(guī)格參數(shù)
| 參數(shù)（Ta = 20°C） | 探測(cè)器類型 |
| PCI-3TE-12-1×1-TO8-wZnSeAR-36 | |
| 光敏元件材料 | ?HgCdTe |
| 最低截止波長(zhǎng) λcut-on (10%), μm | ≤2.0 |
| 峰值波長(zhǎng) λpeak, μm | 10.0±0.2 |
| 優(yōu)化波長(zhǎng) λopt, μm | 12 |
| 最高截止波長(zhǎng) λcut-off (10%), μm | 14.0±0.2 |
| 探測(cè)率 D*(λpeak), cm·Hz1/2/W | ≥1.6×109 |
| 探測(cè)率 D*(λopt), cm·Hz1/2/W | ≥9.0×108 |
| 電流響應(yīng)度 Ri(λpeak), A/W | ≥0.11 |
| 電流響應(yīng)度 Ri(λopt), A/W | ≥0.07 |
| 時(shí)間常數(shù) τ, ns | ≤5 |
| 阻抗 R, Ω | ≤300 |
| 偏置電壓 Vb, V | ≤1.8 |
| 1/f 噪聲頻率 fc, kHz | ≤20 |
| 芯片工作溫度 Tdet, K | ~210 |
| 光敏面積 Ao, mm×mm | 1×1 |
| 封裝 | TO8 |
| 接收角度 Φ | ~36° |
| 窗片 | wZnSeAR |
光譜響應(yīng)
特征和應(yīng)用領(lǐng)域
特征
?1至14μm的寬光譜范圍
?高響應(yīng)度
?大動(dòng)態(tài)范圍
?卓越的長(zhǎng)期穩(wěn)定性和可靠性
?快速交付
應(yīng)用領(lǐng)域
?FTIR光譜