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nanoplus InGaAsSb 光電二極管

nanoplus 最新推出的InGaAsSb(銻砷化銦鎵)光電二極管,以分子束磊晶法(MBE)成長(zhǎng)銻砷化銦鎵作為參雜材料,相比傳統(tǒng)砷化銦鎵具有更好的結(jié)晶品質(zhì)和傳輸特性。光電二極管工作在1000nm-2600nm的波長(zhǎng)范圍內(nèi),峰值波長(zhǎng)為1880nm,采用TO5封裝,有效面積為?1mm,?2mm和?3mm,具有響應(yīng)速度快、靈敏度高等特點(diǎn),非常適合用于高靈敏度氣體分析、過(guò)程控制和環(huán)境監(jiān)測(cè)等領(lǐng)域。

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